真空加热腔体是用来提供超高真空环境的设备

　　真空加热腔体是用来提供超高真空环境的设备。在超高真空环境下，科学研究的对象不会受到环境中杂质的影响，所以超高真空广泛应用于表面研究、分子束外延（MBE）生长、电子能谱仪、粒子加速器等领域中。这种真空腔体是为减少了半导体应用中真空腔的个数而研发的，而晶圆容量几乎不变。这种结构采用了配备有压差真空凹槽的预置空气轴承的移动真空。产品的特点有改善的机台定位的静态、动态响应，抽气时间、稳定时间缩短等。

　　真空加热腔体主要用于分子束外延薄膜生长及测量。一般而言，腔体呈椭球、圆柱形等，在其柱壁上根据需要制造一些接口，用于连接测量及生长设备，连接视窗后也可供实验者观察腔内情况。这些接口被称为法兰口，法兰的尺寸有相应的行业标准，根据需要和接入仪器的法兰接口大小在设计腔体时就要考虑好每个法兰口的大小，角度，位置等参数。事实上，设计真空腔体的难点，就是要在有限的腔体表面上，设计出合理的法兰数和法兰位置，令腔体功能在满足实验要求的同时具有进一步扩展的灵活性，以适应实验者不断提出的新想法和新要求。

　　真空加热腔体中的高能电子衍射（RHEED）：高能电子衍射是常用的判断衬底及薄膜样品单晶程度的方法。高能电子衍射枪发出电子沿着需要观察的薄膜晶向掠入射在高能电子衍射屏涂有荧光粉）上形成电子衍射条纹。高能电子衍射枪和屏夹角约180度，连线经过中心点。因为薄膜为二维结构，所以其单晶晶格在倒易空间中表现为一系列的倒易棒，高能电子在倒易空间中表现为一个半径很大的球面。两者相切，即得到一系列平行的衍射条纹，间距由薄膜的晶格常数决定。这样的高能电子衍射条纹，就可以证明样品的单晶程度是否良好。